Главная → Новости → Samsung запустила производство 256-гигабитной памяти 3D V-NAND

Samsung запустила производство 256-гигабитной памяти 3D V-NAND

12.08.2015 / 11:06

Корпорация «Самсунг» (Южная Корея) обнародовала информацию о запуске серийного выпуска 48-слойных микросхем памяти. Их емкость будет составлять 256 гигабит.

Отмечается, что новое устройство получит технологию 3D V-NAND. Также данный гаджет найдет свое предназначение в крупных корпорациях и DATA-центрах.

Также разработчик сообщил, что выпуск новой флеш-памяти базируется на трехмерной структуре каждой ячейки. В связи с этим разработчикам удалось установить около 85,3 миллиардов ячеек. Емкость каждой ячейки составляет три бита.

Пока что нет информации, когда устройство появится в продаже.